MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

Vishay Siliconix

包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):250V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:630mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:1.1 欧姆 @ 380mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):260pF @ 25V,功率 - 最大值:1W,安装类型:通孔,封装/外壳:4-DIP（0.300"，7.62mm）,供应商器件封装:4-DIP，Hexdip，HVMDIP

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